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[发明专利]使用等离子体火焰热处理的等离子体喷涂增强-CN201480042397.9在审
发明人： J·Y·孙;陈益凯;B·P·卡农戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： B05B1/04 文献下载
摘要：一种用于在制品上形成抗等离子体的陶瓷涂层的方法，包括以下步骤：将制品放置到等离子体喷涂系统的腔室或喷涂单元中。随后，以粉末馈送速率将陶瓷粉末馈送至等离子体喷涂系统中，并且在等离子体喷涂工艺中，由所述等离子体喷涂系统将抗等离子体的陶瓷涂层沉积到制品的至少一个表面上。随后，使用等离子体喷涂系统以执行对抗等离子体的陶瓷涂层的原位等离子体火焰热处理，从而在抗等离子体的陶瓷涂层上形成壳层。
使用等离子体火焰热处理喷涂增强

[发明专利]中空阴极轴向送粉等离子体喷涂枪-CN02149353.7无效
发明人：林烈;吴彬 -专利权人：中国科学院力学研究所
申请日： 2002-11-13 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： B05B7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于改进等离子体喷涂工艺的轴向送粉等离子体喷涂枪。该喷涂枪由水冷的中空阴极和管状阳极组成。喷涂所用的粉体材料从等离子体喷涂枪的中空阴极中送入，经过在喷涂枪内高温区的加热，逐步达到熔融状态，然后离开喷涂枪，以很高的速度喷射到要喷涂涂层的工件表面，形成具有特种性能的等离子体涂层。
中空阴极轴向等离子体喷涂

[发明专利]等离子体喷涂装置和电池用电极的制造方法-CN201780075390.0有效
发明人：小林义之;吉井直树;门沢克治;梶公智 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体喷涂装置，具有：供给部，将喷涂材料的粉末用等离子体生成气体来运送，从前端部的开口进行喷射；等离子体生成部，利用500W～10kW的电力将喷射出的上述等离子体生成气体分解而生成等离子体；以及，腔室，使上述供给部和上述等离子体生成部成为封闭空间，利用在该封闭空间中生成的上述等离子体使上述喷涂材料的粉末熔融而成膜于对象物，其中，上述喷涂材料为锂(Li)、铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)和金(Au)中的任一者，上述喷涂材料的粉末为1μm～50μm的粒径。
等离子体喷涂装置电池用电制造方法

[实用新型]等离子体热喷涂设备-CN202321323216.2有效
发明人：何艾华;刘群;朱太荣 -专利权人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种等离子体热喷涂设备，等离子体热喷涂设备包括外壳、等离子体热喷涂枪和供料装置，外壳具有容纳管体的沉积腔室，等离子体热喷涂枪用于朝向管体的内侧壁喷涂涂层，供料装置包括至少两个料盒，每个料盒通过一个供料管路与等离子体热喷涂枪相连，至少两个料盒能够朝向等离子体热喷涂枪提供至少两种粉料。该等离子体热喷涂设备能够根据实际需要调整形成涂层的粉料比例，从而可以根据实际需要形成具有特定功能的涂层。
等离子体喷涂设备

[发明专利]一种制备二硅化钽块体材料的方法-CN201410125984.6有效
发明人：牛亚然;普慧;黄利平;季珩;郑学斌;丁传贤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23C24/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备二硅化钽块体材料的方法，所述方法包括：采用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂到经表面预处理的耐高温基材至规定厚度，然后将耐高温基材剥离得到所述二硅化钽块体材料；所述二硅化钽粉的粒径范围为10～120微米，纯度大于95wt%；所述真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30-50slpm；等离子体气体H₂：8-18slpm；粉末载气Ar：1.5-5slpm；喷涂距离：100-350mm；喷涂功率：30-58kW；送粉速率：8-30g·min^-1；喷涂压力：100-800mbar。
一种制备二硅化钽块体材料方法

[发明专利]一种外场智能辅助的绿色再制造加工方法-CN202210195984.8在审
发明人：马军;张圣飞;段留洋;江智文;张臻;李晓科;曹阳;刘琨;何文斌;都金光;徐颖杰;明五一 -专利权人：郑州轻工业大学
申请日： 2022-03-02 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：一种外场智能辅助的绿色再制造加工方法，具体包括以下步骤：（一）、设计一种磁场调控超音速等离子体热喷涂装置，包括底板、超音速等离子体火焰枪、一级磁场调控机构、二级磁场调控机构、驱动机构、在线监控仪和控制电柜；（二）、启动磁场调控超音速等离子体热喷涂装置；（三）、调整等离子体通过一级磁场调控机构的羽形；（四）、调整等离子体通过二级磁场调控机构的羽形；（五）、获取等离子体中飞行粒子参数；（六）、评估磁场调控超音速等离子体热喷涂羽形的质量本发明能够对等离子体热喷涂羽形实时调控，使超音速等离子体热喷涂工作处于理想的状态。
一种外场智能辅助绿色制造加工方法

[发明专利]减压等离子喷涂法-CN202080067777.3在审
发明人：黑木信义;水津竜夫 -专利权人：东华隆株式会社
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明的减压等离子喷涂法是在减压容器(6)内将等离子电源输出功率设为2～10kW，使用直流电弧将工作气体等离子体化以产生等离子体射流(10)，将平均粒径为1～10μm的原料粉末从喷涂枪(3)的供给口(11)供给至等离子体射流(10)，形成喷涂皮膜的减压等离子喷涂法，可以抑制原料粉末的变质，并且形成致密的皮膜。
减压等离子喷涂

[发明专利]一种提高低气压等离子体喷涂沉积率的方法-CN201410275216.9在审
发明人：朱华;李向阳;王鹏飞;黄佳华 -专利权人：成都真火科技有限公司
申请日： 2014-06-19 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：一种提高低气压等离子体喷涂沉积率的方法，是涉及低气压等离子喷涂的改进。本发明以层流等离子体作为喷涂热源，以电场作为辅助来提高等离子喷涂的沉积率。层流等离子体射流稳定且有效高温区长，能够增加粉体颗粒的熔化时间；层流等离子体束对电场有约束作用，使得层流等离子体束区域的电场强度增加，其中的熔滴颗粒更加容易荷电，并且约束熔滴颗粒的飞行状态，使熔滴颗粒在到达基底时获得优化的速度与角度，同时在库仑力作用下减少熔滴颗粒与基底碰撞时的飞溅损失，进而提高喷涂沉积率。
一种提高气压等离子体喷涂沉积方法

[发明专利]一种采用层流等离子体束对热喷涂涂层热处理的方法-CN201410246894.2在审
发明人：朱华;王鹏飞;黄佳华 -专利权人：成都真火科技有限公司
申请日： 2014-06-06 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C23C4/18 文献下载
摘要：一种采用层流等离子体对热喷涂涂层热处理的方法，属于等离子体应用领域。本发明采用层流等离子体发生器作为热源，改变层流等离子体发生器的参数、发生器出口与工件的距离以及层流等离子体束与工件的相对移动速度，对热喷涂涂层进行整体或局部热处理。
一种采用层流等离子体喷涂涂层热处理方法

[发明专利]一种层流等离子体的金属表面强化复合加工装置及方法-CN201810232456.9在审
发明人：曹修全;姚进;陈艳;余德平 -专利权人：四川理工学院
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明提供一种层流等离子体的金属表面强化复合加工装置及方法，该装置包括层流等离子体喷涂系统（1）、控制装置（2）和精加工装置（3），所述控制装置（2）分别与层流等离子体喷涂系统（1）和精加工装置（3）电连接，所述层流等离子体喷涂系统（1）的层流等离子体发生器（101）与精加工装置（3）的刀具（301）平行设置，所述刀具（301）同步跟随层流等离子体发生器（101）沿待处理工件轴向运动，该方法包括步骤：工件装夹在工作台上；加工装置复位；层流等离子体发生器喷涂同时精加工装置工作；完成工件表面喷涂及涂层精加工；金属粉末和切削回收；停车，取下工件；本发明具有可控性好、稳定性高、涂层质量好且涂层表面精度高等优点。
层流等离子体精加工装置喷涂系统发生器复合加工装置金属表面强化控制装置刀具工件表面喷涂待处理工件工件装夹加工装置金属粉末平行设置涂层表面轴向运动电连接可控性切削精加工复位喷涂取下停车回收

[发明专利]一种制备二硅化钽涂层的方法-CN201410126013.3在审
发明人：牛亚然;葛雪莲;王忠;赵君;黄山松;郑学斌;丁传贤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： C23C4/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备二硅化钽涂层的方法,所述方法包括：采用粒径范围为10～120微米，纯度大于95wt%的二硅化钽粉，运用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂于预处理的耐高温基体材料表面，即得二硅化钽涂层，所述等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30-50slpm；等离子体气体H₂：8-18slpm；粉末载气Ar：1.5-5slpm；喷涂距离：100-350mm；喷涂功率：30-58kW；送粉速率：8-30g·min^-1；喷涂压力：100-800mbar。
一种制备二硅化钽涂层方法

[发明专利]一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺-CN202010906602.9有效
发明人：张宇 -专利权人：苏州合志杰新材料技术有限公司
申请日： 2020-09-02 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体级硅的等离子体喷涂工艺，包括以下步骤：S1：将等离子体喷涂装置的两个夹持板相背移动；S2：将圆形半导体晶片放在所述等离子体喷涂装置的两个安装槽内；S3：启动所述等离子体喷涂装置的驱动电机，驱动电机转动带动转动轴转动，实现第一转动杆和第一锥齿轮转动，第一转动杆转动带动第二转动杆转动，实现连接板和两个安装板往复移动，进而实现圆形半导体晶片往复移动；S4：待驱动电机稳定工作时，启动所述等离子体喷涂装置的两个等离子发射器，通过等离子发射器可以对圆形半导体晶片的表面进行等离子喷涂。本发明可以对圆形半导体晶片进行有效均匀且高效的等离子喷涂。
一种半导体等离子体喷涂工艺

[发明专利]等离子线性电极-CN200610087698.0无效
发明人：查尔斯·雷蒙德·琼斯;贾森·詹姆斯·舍林 -专利权人：黑罗伊斯公司
申请日： 2006-05-31 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： C23C4/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种等离子喷涂设备。该等离子喷涂设备包括用于形成等离子体的等离子室区域以及与等离子室区域耦合的喉道区域。喉道区域具有端面和轴向孔。端面的轴向孔用于喷射等离子体流。轴向孔可包括基本沿喉道区域的纵轴形成的多条凹槽。轴向孔的横截面形状可以任选地由多片相互重叠的基本圆形凸耳确定。在等离子体流从轴向孔喷射之前，等离子体流线性流动。在等离子体流离开轴向孔之后，等离子体流具有小于大约50°的粒子总体分布角。
等离子线性电极

[发明专利]一种高致密耐腐蚀高洁净的复合镀层的制备方法-CN202211600871.8在审
发明人：王嘉雨;安朋娜 -专利权人：沈阳富创精密设备股份有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种高致密耐腐蚀高洁净的复合镀层的制备方法，使用多套设备进行制备包括电源整流器，径向大气等离子体喷涂设备、轴向大气等离子体喷涂设备。制备方法为：(1)使用喷砂方法对待镀层表面进行预处理；(2)使用电源整流器，对待镀层表面进行阳极化处理；(3)对阳极化后的表面进行清洗清洁；(4)使用大气等离子体喷涂设备，进行涂层喷涂；(5)使用超洁净水对喷涂后表面进行清洗清洁；(6)使用大气等离子体喷涂设备，对喷涂后表面进行致密层喷涂；(7)将喷涂后产品进行百级以上无尘室进行清洗。在耐等离子体刻蚀的环境中具有优异的表现。
一种致密腐蚀洁净复合镀层制备方法

[发明专利]使用相与应力控制的等离子体喷涂涂覆设计-CN201580001477.4有效
发明人： J·Y·孙;陈益凯;B·P·卡农戈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-05-15 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：通过一方法将陶瓷涂层施加至所述主体，所述方法包括以下步骤：提供等离子体喷涂系统，所述等离子体喷涂系统具有在约100A至约1000A之间的范围中的等离子体电流；将所述等离子体喷涂系统的喷炬支架定位在距所述主体约60mm与约250mm之间的距离；使第一气体以约30L/min与约400L/min之间的速率流过所述等离子体喷涂系统；以及对所述主体进行等离子体喷涂涂覆以形成等离子体涂层，其中，所述涂层的喷溅是非晶的并具有盘饼形状
使用相与应力控制等离子体喷涂设计

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